| Γλώσσα : |
|
| Εγκυκλοπαίδεια της κοινότητας |Εγκυκλοπαίδεια Απαντήσεις |Υποβολή ερωτήματος |Λεξιλόγιο Γνώση |Ανεβάστε τη γνώση |
Power Metal Oxide Semiconductor |
|
dv/dt--- τάση αύξηση των επιτοκίων (παράμετροι εξωτερικό κύκλωμα) ID --- αποστράγγισης ρεύμα (DC) IDM --- παλμικού ρεύματος διαρροής ID (on) --- σε κατάσταση ρεύμα διαρροής Idq --- ηρεμίας ρεύμα διαρροής (RF τρανζίστορ ισχύος) Drain-source τρέχουσα IDS --- IDSM --- μέγιστο ρεύμα πηγής-εκροήςIDSS --- πύλη - βραχυκύκλωμα πηγή όταν το ρεύμα διαρροής IDS (sat) --- ρεύμα κορεσμού κανάλι (πηγής-εκροής ρεύμα κορεσμού) IG --- πύλη ρεύμα (DC) IGF --- Forward Current Gate IGR --- ανάστροφο ρεύμα πύλης Όταν IGDO --- open-source, gate ρεύμα αποκοπής IGSO --- Όταν το open-drain, gate ρεύμα αποκοπής ΙΟΜ --- παλμό ρεύματος πύλης IGP --- ρεύμα κορυφής πύλη ΑΝ --- δίοδος προς τα εμπρός ρεύμα Ως πύλη ρεύμα διαρροής σύντομο χρονικό διάστημα ΣΕΑ --- IDSS1 --- πρώτο σωλήνα σωλήνα αποστράγγισης πηγή ρεύματος κορεσμού IDSS2 --- σωλήνα δεύτερου σωλήνα αποστράγγισης πηγή ρεύματος κορεσμού Iu --- ρεύμα υποστρώματος Ipr --- ρεύμα κορυφής παλμού (παράμετροι εξωτερικό κύκλωμα) Μπροστά gfs διαγωγιμότητας --- Gp --- Ισχύς Κέρδος Gps --- κοινή πηγή υψηλής συχνότητας απολαβή ισχύος GpG --- από την πύλη και το κέρδος ρεύματος υψηλής συχνότητας GPD --- Σύνολο αποστράγγισης και υψηλής ισχύος κέρδους GGD --- διαρροή πύλης αγωγιμότητα αποχετευτικών πηγή gds αγωγιμότητα --- Κ --- συντελεστή θερμοκρασίας τάση μετατόπισης |
| Χρήστης Ανασκόπηση |
|
Δεν υπάρχουν ακόμη σχόλια |
